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1 石墨烯系統兼容、常壓、微正壓多種主流的生長模式
2 石墨烯系統可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進行石墨烯的生長
3 使用計算機控制,可以設置多種生長參數
4 可以制備高質量,大面積石墨烯等碳材料,尺寸可達數厘米,研究動力學過程
5 沉積效率高;薄膜的成分精確可控,配比范圍大;厚度范圍廣,由幾百埃至數毫米,可以實現厚膜沉積且能大量生產
產品性:
PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。
產品組成:
PECVD系統配置:
1.1200度開啟式雙溫區真空管式爐
2.等離子射頻電源
3.多路質量流量控制系統
4.真空系統(可選配中真空或高真空)
產品特點:
生長溫度低;沉積速率快;成膜質量好,適用范圍廣,設備簡單。
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